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Zahlenschlüssel des sowjetischen Klassifizierungssystems für diskrete Halbleiterbauelemente

3.Element
Zahl
Transistoren Dioden HF-Dioden optoelektronische Bauelemente Z-Dioden
101 - 199 NF-Kleintransistoren
P<0,3W <3MHz
Gleichrichterdioden kleiner Leistung Mischdioden Fotodioden Ptot<0,3W UZ=0,1-9,9V
201 - 299 MF-Kleintransistoren
P<0,3W 3-30MHz
Gleichrichterdioden mittlerer Leistung Videodetektoren Fototransistoren Ptot<0,3W UZ=10-99V
301 - 399 HF-Kleintransistoren
P<0,3W >30MHz
Gleichrichterleistungsdioden Modulatoren - Ptot<0,3W UZ=100-199V
401 - 499 NF-Transistoren
P=0,3-1,5W <3MHz
Universaldioden parametrische Dioden - Ptot=0,3-5W UZ=1-9,9V
501 - 599 MF-Transistoren
P=0,3-1,5W  3-30MHz
Impulsdioden Schaltdioden - Ptot=0,3-5W UZ=10-99V
601 - 699 HF-Transistoren
P=0,3-1,5W  >30MHz
- Vervielfacherdioden - Ptot=0,3-5W UZ=100-199V
701 - 799 NF-Leistungstransistoren
P>1,5W <3MHZ
- - - Ptot>5W UZ=0,1-9,9V
801 - 899 MF-Leistungstransistoren
P>1,5W <3-30MHZ
- - - Ptot>5W UZ=10-99V
901 - 999 HF-Leistungstransistoren
P>1,5W >30MHZ
- - - Ptot>5W UZ=100-199V

Altes sowjetischen Klassifizierungssystems für diskrete Halbleiterbauelemente

1.Element: Verwendungszweck
2.Element: Material, Leistungs- und Frequenzbereich

3.Element Transistoren Dioden
1 - 100 Ge-NF-Kleintransistoren
P<0,25W <5MHz
Ge-Spitzendioden
101 - 200 Si-NF-Kleintransistoren
P<0,25W <5MHz
Si-Spitzendioden
201 - 300 Ge-NF-Leistungstransistoren
P>0,25W <5MHz
Si-Flächendioden
301 - 400 Si-NF- Leistungstransistoren
P>0,25W <5MHz
Ge-Flächendioden
401 - 500 Ge-HF-Kleintransistoren
P<0,25W >5MHz
Höchstfrequenz-Mischdioden
501 - 600 Si-HF-Kleintransistoren
P<0,25W >5MHz
Vervielfacherdioden
601 - 700 Ge-HF-Leistungstransistoren
P>0,25W >5MHz
Videodetektordioden
701 - 800 Si-HF-Leistungstransistoren
P>0,25W >5MHz
parametrische Dioden
701-749: Si
750-800: Ge
801 - 900   Z-Dioden
901 - 1000   Tunneldioden
1001 - 1100   Gleichrichtersäulen

letzte Änderung dieser Seite: 28. Dezember 2008

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